uvc-led和紫外线的区别?_led深紫外线灯珠

uvc-led和紫外线的区别?

1、发光介质不同

深紫外UVC-LED消毒包的发光介质是采用LED灯珠，而紫外线灯利用汞灯发出的紫外线来实现杀菌消毒功能。

2、环保性不同

紫外线汞灯就是水银灯，水银是有剧毒的，一旦汞灯破裂、水银泄露对人体以及环境都有很严重的危害，而且我国已经签署了《水俣公约》，从2020年以后全面禁汞，含汞类的产品都不允许生产以及销售了，这也可以看出来国家对于汞灯的态度了。而深紫外UVC-LED消毒包采用的LED灯珠具有电功耗小、启动快、寿命长、体积小、杀菌消毒效果好等优点，关键UVC-LED在使用过程中不会产生二次污染、环保性能高，因此，UVC-LED正被更多的消费者青睐，深紫外UVC-LED消毒是替代传统紫外线汞灯不可多得的新型杀菌方式。

3、消毒杀菌所需时间不同

深紫外UVC-LED杀菌消毒包配备的大功率灯珠，在密闭的小空间中，消杀时间一般在十几秒到三五分钟，就可以消灭多种常见致病菌，再者，由于UVC-LED灯珠体积小，消毒包对于电源线适配性要求低，普通的充电宝就能开启，户外或差旅通勤都能使用，日常便携性高。而紫外线汞灯所需消杀时间一般在十几分钟到半个小时以上，才能达到很好的杀菌效果，但是汞灯因其高压会产生臭氧、耗电量大、杀菌时间长、设备笨重等原因，限制了在日常使用的范围，也终将被历史淘汰。

现阶段使用AlGaN资料led灯珠的外部量子功率EQE一般不到10%，因此美国方面的研究人员使用纳米阵列的共同构造打破了这个功率瓶颈。

研究人员认为，这种AlGaN阵列结构可以通过横向磁（TM）偏振效应沿平面传输光，以抑制光子的激发，从而克服了铝占有率高AlGaN下光水平传输的负面影响。另一方面，根据研究人员的估计，纳米阵列结构可以至少添加70%的光提取功率。

纳米为了准确生长阵列晶体，研究人员选择选择性区域外延生长技能。

选择性成长是基于C平面上的GaN基蓝宝石衬底上的分子束外延成长技能MBE成长的。

金属模具外观氮渗透处理后，GaN纳米阵列基板在995°C的环境中开始成长，其上部的AlGaN在935-1025°C的环境中持续成长。纳米在阵列上部选择了富铝处理。

研究人员使用光致发光（pL）曲线进行缩放，不同共享的AlGaN光谱规模为210？327nm。另一方面，对于280nm的深紫外LED，其纳米阵列由厚度为300nm的n型GaN、80nm的n型Al0构成.64Ga0。36N、未掺杂Al0.48Ga0。52N及60nm的p型Al0.64Ga0。36N。

该结构的光致发光光谱为283nm，总线宽为11nm。与不同温度的pL曲线相比，其内部量子功率IQE在室温环境下约为45%。

50 x 50μm2大小的器材的开放电压为4.4V，5V电流密度达到100A/Cm2。该特性远比以往的量子阱AlGaNLED高。

在波长279nm的情况下，伴随着电流的添加，存在更细微的蓝移现象，规模从279.6nm（50A/Cm2）到278.9nm（252A/Cm2）。

与此同时，估计所有输出功率为0.93W/Cm2，电流密度达到252A/Cm2。然而，在这种条件下，光效率距离为10%的方针是有距离的。

理论上，总输出功率可以通过优化纳米阵列的尺度和距离来增强光提取功率。另外，器材的功能也可以采用踏实接合等结构来有效地提高。