led深紫外线灯珠与普通紫外线灯的区别_led深紫外线灯珠

DUVled灯珠gt;DUVled灯珠原理及特性1、DUVled灯珠的发光机构：pN结的端电压形成一定的屏障，施加正偏压时屏障减少，p区域和N区域的大部分的载波相互分散。由于电子迁移率远大于空穴迁移率，所以p区域出现大量电子分布，p区域形成少量载流子。这种电子与价带上的空穴复合，并以光能发射合成后的能量。也就是pN接合发光原理。DUVled灯珠线光源硬化装置DUV信标线光源硬化装置2、DUV信标发光功率：通常称为组件的外部量子功率，是组件内部的量子功率和组合件取出功率的积。我们所说的组件的内部量子功率本来是组件本身的光电转换功率，首先涉及组件本身的特性（带，缺陷，杂质等），以及组件本身的屏障结构和结构等。然而，组合件提取能量是指在组合件内部产生的光子，并且指的是通过组合件本身的吸收、折射和反射在组合件外部实际操作中可测量的光子数。因此，作为对取出功率的影响因素，可以列举元件自身的吸收率、元件的几何结构、元件与封装元件的折射率差、元件结构的散射特性等。这里，内部量子功率是组件取力的乘积，即整个组件发射的部分，即组件外部的量子功率。在前期组件的集成过程中，为了提高其内部量子功率，首先有一种方法是通过提高屏障质量和可变结构的变化，使电能难以转化为热能，进而直接提高深紫外led灯珠的发光功率，然后提高70%的理论内部量子功率，这种内部量子功率现在接近理论极限。这样做的话，只靠进步元件的内部量子功率是不可能提高元件的总光量的，因此进步元件的取出光能成为最重要的研究课题。目前最主要的方法是改变作为颗粒的外部形状的TIp结构并改变表面粗糙度。

3.深紫外led灯珠电特性：电流控制型装置，负荷特性与pN结的UI曲线相似，导通电压的极小变化带来正向电流（指数级）的显著变化，反向泄漏电流小，也有反向破坏电压。需要选择适合实际使用的方法。深紫外led灯珠的正向电压随着温度的增加而减小，温度系数为负。深颜色的紫外线led灯珠需要消耗电力，部分地转换成光能。剩余部分转化为热能，增加了接合温度。可以用放出的热（功率）来表示。4.深紫外led灯珠的光学特性：深紫外led灯珠由于半导体的能隙随着温度的上升而减少，所以其发光峰值波长随着温度的上升而增加，即提供光谱红移，温度系数为+2~3A/。深颜色的紫外LED珠的亮度L根据正向电流而变化。通过增加电流，可以近似地提高发光亮度。环境温度越高，复合功率越低，发光强度越低，其他发光亮度也越低。深紫外led灯珠热特性：电流小，温度上升不显著。环境温度高时，深紫外发光珠的主波长红移，亮度降低，发光均匀性降低，一致性变差。特殊点矩阵、大屏幕温度上升对LED的可靠性和稳定性有很大影响。因此，散热设计很重要。六、深紫外led灯珠寿命：深紫外led灯珠的长期动作导致光衰减老化，特别是大功率深紫外led灯珠的光衰减问题更严重。在测量深紫外线led灯珠的寿命的情况下，光将灯泡的损伤程度作为深紫外线led灯珠的寿命的结束值是不够的，应该用深紫外线led灯珠的衰减率来表示LED的寿命，例如35%是合理的。高功率深紫外发光二极管封装：首先考虑散热和发射。在散热方面，采用铜基散热衬里，与铝基散热器连接，在微粒和热衬里之间采用锡片焊接，这种散热方式效果更好，性价比更高。在出射面选择芯片跳跃技术，在底面和侧面增加反射面使之反射光能源，能得到更多的消除光。